CMP & Dicing
HOME > 공정서비스 > CMP & Dicing
가능 Wafer Size : 2"~6" (단,Sawing은 8"까지 가능)
Dicing Process
  • : Wafer나 Bulk 재료를 Slicing 하거나 Dicing하는 Process
  • 1) patterned wafer (Thickness 10mm이하 가능)
  • 2) InP wafer , Sapphire wafer
  • 3) PDP,FED용Spacer(Glass/Ceramic)Fixtur등 공급
  • 4) Multi layer 인 경우도 작업 가능
CMP ( Chemical Mechanical Polishing)
  • : wafer재료 등에 대한 CMP(Chemical Mechanical Polishing)
  • 1) Cu, Au, Si, Ti ,Ni , W, Mg , MgO, PMMA, PR , Al
  • 2) Sapphire, GaN ; Ra 1 nm
  • 3) 4” Si wafer의 경우 양면 Polishing 및 CMP (두께 10um)까지 가능
  • 4) R&D wafer의 경우 Thickness와 TTV( Total Thickness Variance) 를 1um 이하로 CMP가능